유도 쿠커의 코어 회로 분석
유도 쿠커의 핵심 회로는 주파수 변환 회로이며,이 기능은 50Hz 또는 60Hz의 저주파 메인 전력을 20kHz의 고주파 전기 에너지로 변환하고이를 유도 코일에 공급하여 고주파 자기장을 생성하는 것입니다. 이 자기장의 작용 하에서, 에디 전류는 금속 냄비 내부에 생성되어 요리의 목적을 달성하기 위해 열을 생성합니다.
현재 유도 쿠커를위한 주파수 변환 회로의 세 가지 주요 형태가 있습니다 : 단일 튜브 회로, 하프 브리지 회로 및 풀 브리지 회로. 가정 유도 밥솥은 일반적으로 단일 튜브 회로 또는 반 브리지 회로를 사용하여 난방을 달성합니다. 다음은 단일 튜브 회로 및 하프 브리지 회로에 대한 간단한 소개입니다.
1. 단일 튜브 회로
단일 튜브 회로는 하나의 IGBT (절연 게이트 바이폴라 트랜지스터) 만 개방 및 폐쇄를 담당한다는 것을 의미합니다. IGBT가 켜지면 전류는 코일을 통해 빠르게 충전됩니다. IGBT가 꺼지면 코일의 전류는 공진 커패시터를 충전하여 더 높은 역 전압을 생성합니다. 이 전압이 IGBT의 견딜 수있는 전압을 초과하면 IGBT가 즉시 분해되어 기계에 손상이 발생할 수 있습니다.
정상적인 작업 조건에서 역 전압은 일반적으로 1000-1100V 사이입니다. 그러나 회로가 간섭 또는 기타 예기치 않은 요인에 의해 영향을 받으면이 전압이 증가 할 수 있으므로 보호 조치를 제 시간에 취해야합니다.
단일 튜브 회로의 단점도 있습니다. 전력이 낮 으면 IGBT의 작업 상태에 영향을 미쳐 IGBT가 심한 가열을 일으켜 서비스 수명이 단축되거나 심지어 고장이 발생할 수 있습니다. 코일이 가열 된 물체에 가까울 때 특히 분명합니다. 따라서, 단일 튜브 유도 쿠커가 지속적으로 열이 발생할 수있는 전력은 일반적으로 최대 전력의 50%보다 크다. 예를 들어, 최대 전력이 2000W 인 유도 쿠커는 1000W 미만의 전력에서 간헐적 가열을 사용할 수 있으며, 이는 많은 요리 행사에 적용되지 않습니다.
2. 하프 브리지 회로
Half-Bridge 유도 쿠커는 두 개의 IGBT를 사용하여 켜고 끕니다. 하나의 IGBT가 꺼지면 다른 IGBT가 켜지면서 높은 역전 전압 문제를 피하여 과전압의 숨겨진 위험을 제거하고 IGBT를 손상시킵니다.
하프 브리지 회로의 또 다른 장점은 연속 전력이 매우 낮아질 수 있으며 IGBT의 작동 상태에 영향을 미치는 저전력의 문제가 없다는 것입니다. 이론적으로, 하프 브리지 회로는 모든 전력의 지속적인 가열을 달성 할 수 있습니다. 그러나 구성 요소의 작동 주파수 제한으로 인해 일반적으로 최대 전력의 20%, 특수 설계 하에서 최대 전력의 10%를 달성 할 수 있습니다. 즉, 2000W 유도 쿠커는 200W의 전력에서 연속 가열을 달성 할 수있어 모든 소방 기어를 지속적으로 가열하여 유도 쿠커의 실용성을 크게 향상시킬 수 있습니다.
일반적으로, 하프 브리지 회로의 최대 설계 전력은 약 20 ~ 30kW이며, 이는 단일 튜브 회로의 범위와는 거리가 멀다. 다른 제조업체는 반 브리지 회로에 대해 다른 디자인을 갖습니다. PWM 생성, 전력 제어, 위상 제어, 전류 감지에 대한 IGBT 드라이브에 대한 여러 구현 방법이 있습니다. 따라서 제품 성능과 신뢰성에는 상당한 차이가있을 것입니다. 합리적인 디자인이 가장 중요한 링크가됩니다.
Katro가 이미 출시 된 Half-Bridge 인덕션 쿠커는 자체 개발 된 Half-Bridge 기술을 사용하여 20% 에너지 절약을 달성하면서 성능이 질적 인 도약을 달성합니다. 업그레이드 된 기술은 8cm의 작은 냄비를 감지하여 다양한 사용자 가족의 요리 요구를 충족시킬 수 있습니다. 기술 발전으로 30cm, 60cm 및 77/90cm 크기의 내장 제품에 적합한 원형 또는 사각형 코일을 선택할 수 있습니다. 가장 중요한 것은, 우리의 비용은 업계 수준보다 10 ~ 15% 낮아서 고객에게 시장에서 경쟁 우위를 제공합니다.
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